-
. Work expected In this internship you will perform electrical characterization and modeling of 28nm FDSOI (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator [3]) transistors in cryogenic environment, advancing
-
plages fréquentielles relativement restreintes (type machines tournantes) et dont l’encombrement est le plus souvent incompatible de l’espace disponible dans nos sous-ensembles. Une démarche de
-
-technologie sous https://www.youtube.com/watch?v=-89ypv7E340 You may be interested in these vacancies CDD 36mois - Ingénieur Caractérisation électrique de transistors CMOS H/F Ref. : 2026-41311 Fixed
-
premier ordre pour mener à bien vos missions. pour plus d'infos : https://fames-pilot-line.eu/dc-dc-conversion-inside-advanced-packages/ Description du poste : Participe au CEA-Leti au